改進(jìn)的RCA清洗工藝溶液配比見(jiàn)表2.3。
RCA-1（H2O/NH4OH/H2O2）型洗液：硅片表面的自然氧化層（SiO2）和Si被NH4OH腐蝕，因此附著(zhù)在硅片表面的顆粒便分散于清洗液中，從而去除表面的顆粒。在NH4OH腐蝕硅表面的同時(shí)，H2O2又在氧化硅表面形成新的氧化膜。
RCA-2（H2O/HCl/H2O2）：用于除去硅片表面的Na、Fe、Mg等金屬沾污，在室溫下就能除去Fe和Zn。
表2.3 改進(jìn)的RCA清洗劑配方

2.2HF/O3清洗法
2.2.1 HF/O3槽式清洗法
因為臭氧的還原電勢比硫酸、鹽酸、雙氧水都高，因此用臭氧超凈水去除有機物及金屬的方法，效率比用傳統的SC、SPM、RCA等高。此外，該方法在室溫下清洗，不用進(jìn)行廢液處理，因此比傳統方法占有絕大優(yōu)勢。
德國ASTEC公司設計了一套基于HF/O3清洗的工藝，稱(chēng)為ACD。該法由清洗和干燥兩部分組成，廣泛用于Φ300mm硅片的清洗。清洗步驟：清洗—純水沖洗—干燥，可同時(shí)加入純水、HF、O3、表面活性劑，超聲波清洗。
2.2.2 HF/O3單片清洗法
日本索尼公司研制的HF/O3單片旋轉式清洗法，可以有效去除硅表面的有機沾污、無(wú)機沾污、金屬沾污等。此設備上有三路供液系統，可同時(shí)將HF酸、溶解油臭氧的超純水、超純水供應到硅片中心。在此過(guò)程中，首先將HF酸、溶解油臭氧的超純水交替供應到硅片中心，每種試劑供應約10s交替一次，接著(zhù)供應純水進(jìn)行沖洗。最后用旋轉干燥法對硅片進(jìn)行干燥，為避免旋轉干燥法給硅片表面帶來(lái)水跡，可以改用氮氣吹。
2.3熱態(tài)洗硅成膜劑
熱態(tài)洗硅成膜劑，包括A劑和B劑，A劑包含強堿性催化劑5%~35%、無(wú)機溶劑65%~95%，顯色劑微量，原料總和為100%；B劑包含分析純磷酸三鈉03%~3%、分析純聯(lián)氨0.05%~2%，與兩種無(wú)機溶劑，其原料總和為100%；使用時(shí)由A劑和B劑按照體積比1:10的比例混合使用，混合后溶液比重為1.008g/ml~1.031g/ml。