2.1RCA清洗法
RCA清洗法又稱(chēng)工業(yè)標準濕法清洗工藝，是由美國無(wú)線(xiàn)電公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世紀60年代提出后，由此得名。
RCA濕法清洗由兩種不同的化學(xué)溶液組成，主要洗液成分見(jiàn)表2.1，表2.2，表2.3。
SPM具有很高的金屬氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能將有機物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的種有機沾污和部分金屬，當沾污特別嚴重時(shí)，難以去除干凈。
DHF（HF），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同時(shí)抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬，也可以去除自然氧化膜上的氫氧化物。在自然那氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片幾乎不被腐蝕。
表2.1 基礎的RCA清洗劑配方

SC-1清洗液是能去除顆粒和有機物質(zhì)的堿性溶液。由于過(guò)氧化氫為強氧化劑，能氧化硅片表面和顆粒。顆粒上的氧化層能提供消散機制，分裂并溶解顆粒，破壞顆粒和硅片表面之間的附著(zhù)力，而脫離硅表面。過(guò)氧化氫的氧化效應也在硅片表面形成一個(gè)保護層，阻止顆粒重新粘附在硅片表面。隨后將硅片放入到10%的HF溶液中浸泡2分鐘，可以將硅片表面自然生成的氧化膜去除并抑制氧化膜再次形成，同時(shí)HF酸還可以將附著(zhù)在氧化膜上的金屬污染物溶解掉。
SC-2濕法清洗工藝用于去除硅片表面的金屬。用高氧化能力和低PH值的溶液，才能去除表面的金屬粘污。此時(shí)，金屬被氧化成為離子并溶于酸液中，金屬和有機物粘污中的電子被清洗液俘獲并氧化。因此電離的金屬溶于溶液中，而有機雜質(zhì)被分解。這就是RCA清洗方法的機理。繼續用HF在室溫下清洗硅片2分鐘，最后用去離子水超聲清洗數次去除殘留的洗液。